Целта на проекта е разработване на нови материали с разширени възможности за управление на техните електро-оптични, структурни, морфологични др.п. свойства за приложение във фотоволтаични преобразуватели, катализатори, детектори, светодиоди и др.
Текущ.
.
Разработването на методи за отлагане на тънки слоеве SnS, Cu2SnS3 и др .п. чрез отлагане от зол-гел, химично или електрохимично. В практиката ни е разработен метод за вакуумно изпарение или химично отлагане от воден разтвор на тънки филми SnS и е установено, че могат да бъдат използвани като р – тип полупроводник във фотоелементи. В тази област ще бъдат потърсени възможности за допълнително съотлагане на медта.
Текущ.
CA21148 - Research and International Networking on Emerging Inorganic Chalcogenides for Photovoltaics (RENEW-PV)